ОЛОВА ХАЛЬКОГЕНИДЫ

ОЛОВА ХАЛЬКОГЕНИДЫ, соед. олова с серой-SnS, SnS2, Sn2S3, Sn3S4, с селеном-SnSe, SnSe2, с теллуром-SnTe. Кристаллы; не раств. в воде и разб. минер, к-тах, раств. с разложением в конц. HNO3, H2SO4, фтористоводородной к-те, царской водке; SnS раств. также в конц. соляной к-те и р-рах полисульфидов щелочных металлов и аммония, SnS2-B р-рах сульфидов щелочных металлов и аммония. Олова халькогениды-полупроводники; св-ва их представлены в таблице.

Моносульфид -нестехиометрич. соед., где 0< <0,00027, растворяет до 2,7·10-2 ат.% S; существует в двух модификациях -и , т-ра перехода 605 °С, перехода 0,7 кДж/моль; (a-SnS) — 108 кДж/моль; 220 кДж/моль; сублимируется без разложения; ур-ние температурной зависимости давления пара: lg p(Па) = = — 10600/T+ 12,27; температурный коэф. линейного расширения 14,1·10-6К-1; теплопроводность 0,113 Вт/(см·К); полупроводник обычно p-типа, эффективная масса дырок вдоль осей а, b, с: та = тb = 0,2m0, mс = 1,0 m0 (m0 — масса своб. электрона); температурный коэф. — 4,8·10-4 К-1.

СВОЙСТВА ХАЛЪКОГЕНИДОВ ОЛОВА

* Разлагается с образованием SnS2 и расплава.

Постепенно окисляется на воздухе до SnOS и SnO2. В природе SnS-редкий минерал герценбергид.

Дисульфид SnS2 при нагр. в вакууме разлагается на SnS и пары S; 107 Ом·см; полупроводник n-типа.

Моноселенид SnSe — нестехиометрич. соед., растворяет до 10 -4 ат. % Se; существует в двух модификациях- и , т-ра перехода 534 °С; сублимируется без разложения; ур-ние температурной зависимости давления пара: lg p(Пa) = — 10690/Т+ 12,47 (789-975 К); 212 кДж/моль, 26 кДж/моль; температурный коэф. линейного расширения 12·10-6 К-1; полупроводник р-типа, эффективная масса дырок тр = 0,15т0, подвижность дырок 70-115 см2/(В·с). Окисляется при нагр. до SnO2.

Для диселенида SnSe2: 51 кДж/моль; ур-ние температурной зависимости давления пара lg p(Па) = = -9720/Т+ 14,18 (853-913 К); сублимируется с диссоциацией до SnSe и Se; кристаллы, выращенные из пара,-полупроводники n-типа, из расплава -р-типа; эффективная масса электронов те = 0,4т0, подвижность дырок 80 см2/(В · с) при 100 К, электронов 30 см2/(В·с).

Теллурид SnTe — нестехиометрич. соед., растворяет 0,1-1,1 ат. % Те (600 °С); существует в двух модификациях; ниже — 173°С кубич. форма переходит в ромбоэдрическую; 33 кДж/моль, 223 кДж/моль, сублимируется без разложения; ур-ние температурной зависимости давления пара: lg p>(Па) = -11211/T+ 12,67 (820-933 К); теплопроводность 0,07 Вт/(см·К); температурный коэф. линейного расширения 21·10-3 К-1; полупроводник p-типа, тр = = (0,06 — 0,14) т0, подвижность дырок 300 см2/(В·с), температурный коэф. —2·10-4 К.

Получают олова халькогениды оглавлением простых в-в в вакуумир. ампулах или в инертной атмосфере, SnS2-также сплавле-нием SnS и S; SnS — осаждением из водных р-ров солей Sn(II) с H2S в присут. H2SO4, взаимод. расплавленного SnCl2 с S. Монокристаллы и эпитаксиальные пленки выращивают хим. осаждением из газовой фазы, методами хим. транспортных р-ций, монокристаллы — также направленной кристаллизацией из расплава.

Олова халькогениды-материалы для термоэлектрич. генераторов (SnTe), фоторезисторов (SnS, SnS2, SnSe), фотодиодов (SnS, SnSe), переключателей в запоминающих устройствах ЭВМ (SnS2, SnSe2); в технике применяют SnSe и SnTe. SnS-также весовая форма при определении Sn2+ , катализатор полимеризации, используется для получения SnO2; SnS2-пигмент (имитатор золота, т. наз. сусальное золото) для «золочения» (дерева, гипса), весовая форма при определении Sn4+ ; твердые р-ры SnSe PbSe — материалы ИК оптоэлектроники, лазерной техники.

Лит. см. при. ст. Олово. В. П. Зломанов.

Источник: himik.chernykh.net